Samsung şi IBM lucrează la o nouă arthitectiră a cipurilor care ar putea duce fie o performanţă dublă, fie un consum de energie mai mic cu 85%, scrie The Verge.
Este vorba de designul VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors), care va lua locul modului în care cipurile sunt dezvoltate în prezent.
Pe scurt, pentru a face loc mai multor tranzistorii vor fi puși vertical, unele peste altele, în loc să fie montate orizontal, unele lângă altele. Prin urmare, circulaţia curentului va fi şi ea verticală.
De ce această soluție și de ce este importantă inovația? Să explicăm contextul: Indiferent de brand, autonomia unui smartphone, în general, nu depășește o zi. Acest VTFET ar putea aduce schimbări profunde Asta în condițiile în care până acum lipsa unor soluții viabile pentru o autonomie mai mare a bateriei telefonului a fost compensată cu soluții de ncărcare super rapidă.
Cele două companii spun că prin soluția lor smartphone-urile pot ajunge la o autonomie mai mare de o săptămână. Sunt beneficii și în alte domenii cum ar fi: minarea criptomonedelor care nu va mai consuma la fel de multă energie ca în prezent. În plus, de câștigat vor avea toate domeniile în care se folosesc cipuri, inclusiv navele spațiale.
Și Intel lucrează la un design similar, pe care vrea să-l adopte cândva după 2025
IBM are un avantaj în condițiile în care și-a prezentat deja primul cip de 2 nanometri la începutul acestui an, care urmează o cale diferită pentru a înghesui mai mulți tranzistori prin creșterea cantității care poate fi încadrată pe un cip folosind designul FinFET existent.
În orice variantă, va mai dura ceva până când vom vedea cipuri bazate pe cea mai recentă tehnologie IBM și Samsung din lume.
Photo by Omar Prestwich on Unsplash
Ce părere ai?